FSM可以提供从2寸到12寸各种规格的Dummy wafer，自有工厂，品质稳定，交货期可控。并有各种检测设备，可提供需要的参数检测服务。

测试级晶圆片是高质量的晶圆片，相较于生产级晶圆片，较少规格要求。

FSM提供和定制各种尺寸的镀膜片，如Thermal Oxide wafer, PETEOS wafer, Nitride wafer,  POLY, Cu, W, TiN, TaN, PR wafer 等；同时接受接受客户定制Pattern wafer服务。另外还提供各种尺寸和规格的玻璃片Glass wafer，SiC wafer 等三代半半导体产品。

我们的 SOI 晶圆由顶层器件硅层、埋氧层（BOX）和衬底硅层组成，直径覆盖 2 至 8 英寸。层厚公差控制在 ±5% 以内，总厚度偏差（TTV）小于 5μm，翘曲度（Bow）小于 20μm。掺杂类型可选 P 型（硼）、N 型（磷）或本征（未掺杂），电阻率范围 0.001 至 20,000+ Ω·cm，可满足 CMOS 逻辑、射频、MEMS 及功率半导体等多种应用需求。

采用垂直梯度凝固法（VGF）生长，规格覆盖 2、3、4 英寸，晶向为 <100>。可提供未掺杂及掺杂（N 型：硫/锡；P 型：锌）两种类型，外延级表面处理，TTV、翘曲度、弯曲度均控制在 15μm 以内，适用于光通信及光电器件制造。

采用氢化物气相外延法（HVPE）生长，可提供半绝缘型（铁掺杂）及 N 型（锗掺杂或未掺杂）两种类型，晶向为 C 面 <0001>。这类自支撑 GaN 衬底位错密度低（低至 1~9×10⁵/cm²），正面粗糙度极低（Ra ≤0.2nm），TTV 小于 15μm，弯曲度和翘曲度均小于 20μm，是功率器件和射频器件应用的高质量外延级衬底。

采用 VGF 法生长，规格覆盖 2、3、4 英寸，晶向为 <100> 和 <111>。可提供未掺杂及掺杂（N 型：硫/锡；P 型：锌）两种类型，TTV 小于 15μm，弯曲度小于 10μm，翘曲度小于 15μm，表面为外延级抛光或腐蚀处理，适用于红外及高速电子器件应用。

采用 VGF 法生长，规格覆盖 2 和 3 英寸，晶向为 <100>。可提供未掺杂及掺杂（N 型：硫/锡；P 型：锌）两种类型，外延级表面处理，TTV、翘曲度、弯曲度均控制在 15μm 以内，适用于红外探测及传感应用。

规格覆盖直径 50.8mm 至 200mm（2 至 8 英寸），厚度根据尺寸从 430μm 至 1300μm 不等。晶向可选 C 面、R 面、M 面、A 面，表面处理可选双面抛光或单面抛光，表面质量优异（Ra ≤0.3nm），翘曲度小于 10μm，TTV 控制在 3μm 以内，是光电器件及光学应用的可靠衬底材料。

FSM与世界各大晶圆厂均有策略性合作关系。 虽然99%的晶圆片材料为未拆封之全新晶圆片, FSM也提供晶圆片抛光服务。