InAs 是一种窄禁带三五族化合物半导体材料，由铟（In）和砷（As）组成，具备高电子迁移率和优异的红外响应特性。InAs 晶圆常用于制造红外激光器、光电探测器及高速低功耗晶体管，同时也是量子阱、量子点等前沿器件结构研究的重要材料平台。

我们的 InAs 晶圆采用 VGF 法生长，规格覆盖 2、3、4 英寸，晶向为 <100> 和 <111>，可提供未掺杂及多种掺杂类型。晶片尺寸精度与平整度控制严格，广泛应用于红外激光器、高速低功耗晶体管及热光伏电池制造。

应用场景

- 红外光电探测器与激光器 

- 高速低功耗晶体管（得益于高电子迁移率） 

- 热光伏（TPV）电池 

- 量子阱与量子点器件结构

为什么选择我们？

VGF 工艺生长，规格覆盖全面（2～4 英寸）

弯曲度可控制在 10μm 以内，行业内属较高标准

未掺杂、N 型、P 型多种类型可选

表面可选抛光或腐蚀处理，适配多种下游工艺