锗是一种重要的半导体材料，晶格常数与 GaAs 十分接近，因此常作为三五族化合物半导体外延生长的理想衬底。锗晶圆同时也具备优异的红外透过特性，在光学领域应用广泛。凭借其独特的物理特性，锗晶圆在高效多结太阳能电池、红外光学元件及光电探测器制造中扮演着重要角色。

我们的 Ge 晶圆规格覆盖 2 至 6 英寸，厚度可选多种规格，可提供未掺杂、N 型、P 型多种类型。晶体位错密度低、表面质量优异，广泛应用于三五族多结太阳能电池衬底、红外光学元件及光电探测器制造。

应用场景

- Ⅲ‑Ⅴ族多结太阳能电池用衬底 

- 红外光学与红外透镜 

- 光电探测器及红外传感器 

- 用于砷化镓及其他Ⅲ‑Ⅴ族化合物半导体器件的外延生长基底

为什么选择我们？

位错密度低（EPD < 3000/cm²），晶体质量稳定

厚度规格丰富（175μm～625μm），可匹配不同产品需求

TTV、弯曲度、翘曲度均控制在 25μm 以内