InSb 是一种窄禁带三五族化合物半导体材料，由铟（In）和锑（Sb）组成，具有极高的电子迁移率和目前已知半导体材料中最窄的禁带宽度之一。这一特性使其对红外光极为敏感，是制造高性能红外探测器的核心材料。InSb 晶圆广泛应用于热成像、红外制导及高精度传感器等领域。

我们的 InSb 晶圆采用 VGF 法生长，规格覆盖 2、3 英寸，晶向为 <100>，可提供未掺杂及多种掺杂类型。晶片外延级表面处理，尺寸精度控制严格，广泛应用于红外探测器、热成像系统及霍尔效应传感器制造。

应用场景

- 红外探测器与焦平面阵列 

- 霍尔效应传感器及磁阻器件 

- 热成像系统 

- 高速低功耗电子器件

为什么选择我们？

VGF 工艺生长，材料一致性好

TTV、弯曲度、翘曲度均控制在 15μm 以内

表面可选抛光或腐蚀处理，满足不同工艺需求

专注窄禁带材料生产，适配高精度红外器件应用