InP 是一种三五族化合物半导体材料，由铟（In）和磷（P）组成。相比传统硅材料，InP 具有更高的电子迁移率和直接带隙特性，使其在高速光电子器件领域具有独特优势。InP 晶圆是制造光通信激光器、光电探测器等光子器件不可替代的基础材料，在数据中心、5G通信及光纤网络建设中发挥着重要作用。

我们的 InP 晶圆采用垂直梯度凝固法（VGF）生长，规格覆盖 2、3、4 英寸，晶向为 <100>，可提供未掺杂及多种掺杂类型。晶片外延级表面处理，尺寸精度与平整度控制严格，广泛应用于光通信激光器、光电探测器及光子集成电路制造。

应用场景

- 光通信用激光二极管与光电探测器

- 高频高电子迁移率晶体管（HEMT/HBT）

- 光子集成电路

- 多结太阳能电池衬底

为什么选择我们

VGF 工艺生长，晶体质量稳定

未掺杂及 N 型、P 型多种掺杂类型可选，满足不同器件设计需求

TTV、弯曲度、翘曲度均控制在 15μm 以内，保障外延生长一致性

表面达到外延级标准，可直接用于后道工艺