SOI Wafer 是一种具有"硅-绝缘层-硅"三层结构的特殊晶圆，中间的绝缘层（通常为二氧化硅）将顶层器件硅与底部衬底硅隔离开来。相较于传统体硅晶圆，SOI 结构能够有效降低寄生电容、减少漏电流，从而提升芯片的运行速度并降低功耗。SOI 晶圆是现代高性能、低功耗集成电路制造中的关键材料，广泛应用于先进逻辑芯片、射频芯片及 MEMS 器件领域。

我们的 SOI 晶圆采用顶层器件硅、埋氧绝缘层（BOX）与衬底硅三层结构，直径覆盖 2 至 8 英寸，层厚公差控制在 ±5% 以内。可提供 P 型、N 型及本征多种掺杂类型，电阻率范围宽泛，广泛应用于 CMOS 逻辑芯片、射频器件、MEMS 传感器及功率半导体制造，是高性能低功耗芯片的理想衬底材料。

应用场景

- 先进CMOS逻辑与低功耗集成电路 

- 射频前端与高频器件 

- 微机电系统（MEMS）传感器与执行器 

- 需要介电隔离的功率半导体器件

为什么选择我们？

三层结构层厚控制精准，公差稳定在 ±5% 以内

总厚度偏差（TTV）小于 5μm，翘曲度小于 20μm，保障下游光刻工艺一致性

掺杂类型与电阻率范围可定制，满足不同工艺需求

支持 2 至 8 英寸全尺寸覆盖，兼顾研发打样与批量生产