GaAs 是一种三五族化合物半导体材料，由镓（Ga）和砷（As）组成。相较于硅材料，GaAs 具有更高的电子迁移率和更好的高频特性，同时属于直接带隙材料，发光效率更高。GaAs 晶圆是射频芯片、LED、激光二极管及高效太阳能电池制造的核心衬底材料，广泛应用于移动通信、卫星通信及新能源领域。

我们的 GaAs 晶圆是采用 VGF 或 LEC 法生长的单晶衬底，晶向覆盖 <100> 和 <111>，规格范围 2 至 6 英寸。可提供未掺杂及多种掺杂类型，正面达到外延级抛光标准，广泛应用于射频芯片、LED、激光二极管及高效太阳能电池制造。

应用场景

- 射频与微波器件（功率放大器、单片微波集成电路MMIC）

- LED及激光二极管衬底

- 高效太阳能电池（多结与单结）

- 高电子迁移率晶体管（HEMT）与异质结双极晶体管（HBT）

为什么选择我们？

VGF/LEC 双工艺路线，可根据应用需求灵活选择

一级、二级定位平边精度高，便于晶向识别与产线自动化处理

迁移率范围宽（1500～5000 cm²/V·sec），满足不同器件性能要求

正面外延级抛光，表面质量稳定可靠