GaN 是一种宽禁带三五族化合物半导体材料，由镓（Ga）和氮（N）组成，具备高击穿电压、高电子饱和速率及优异的耐高温特性。相较于传统硅基功率器件，GaN 器件能够实现更高的能量转换效率和更小的器件尺寸。GaN 晶圆是新一代功率器件、5G/6G 射频器件及 Mini/Micro LED 制造的核心材料，被广泛视为第三代半导体的代表性材料之一。

我们的 GaN 晶圆采用氢化物气相外延法（HVPE）生长，属自支撑衬底，可提供半绝缘型及 N 型两种类型，晶向为 C 面 <0001>。晶体位错密度低、表面粗糙度极低，广泛应用于功率器件、5G 射频器件及高亮度 LED 制造。

应用场景

- 功率电子器件（肖特基二极管、垂直功率晶体管） 

- 射频及高频器件（用于5G/6G应用的高电子迁移率晶体管HEMT） 

- 高亮度发光二极管与激光二极管 

- 需要低缺陷氮化镓同质衬底的高电子迁移率晶体管（HEMT）

为什么选择我们？

HVPE 工艺生长自支撑 GaN 衬底，晶体质量高

位错密度低至 1～9×10⁵/cm²，行业领先水平

正面表面粗糙度极低（Ra ≤0.2nm），适配高精度外延生长

适用于新一代功率器件与 5G/6G 射频器件核心应用场景